Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC

作     者：杜鹏搏 张务永 孙希国 崔玉兴 高学邦 付兴昌 吴洪江 蔡树军 

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2013年第38卷第2期

页      码：97-100页

摘      要：采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36～40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。

主 题 词：砷化镓 Ka波段 单片微波集成电路 功率放大器 高效率 

学科分类：080903[080903] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2013.02.004

馆 藏 号：203150331...