多微通道内存系统设计方法

作     者：张广飞 王焕东 陈新科 黄帅 陈李维 Zhang Guangfei;Wang Huandong;Chen Xinke;Huang Shuai;Chen Liwei

作者机构：中国科学院计算机系统结构重点实验室北京100190 中国科学院计算技术研究所北京100190 中国科学院研究生院北京100049 

基　　金：国家"核高基"科技重大专项课题(2009ZX01028-002-003 2009ZX01029-001-003) 国家自然科学基金(60921002 61003064)资助项目 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2013年第23卷第7期

页      码：685-693页

摘      要：通过建立内存系统排队模型,分析了影响内存系统性能的原因——内存控制器的内存命令处理速度受访存请求页命中率、Bank级并行度和读写命令切换率的影响,进而提出了一种多微通道内存系统设计方法。用此方法多微通道内存控制器通过对内存颗粒进行细粒度控制,可以提高访存请求页命中率和Bank级并行度,隐藏数据总线读写切换延迟。该结构在提高内存系统带宽利用率的同时,缩短访存请求延迟,并提高内存功耗有效性。将多微通道内存控制器设计应用于多核处理器平台,充分分析各种宽度访存通道对应用程序性能的影响。实验结果表明,相比传统内存控制器设计方法,多微通道内存控制器将内存系统带宽提高了21.8%,访存延迟和功耗分别降低14.4%和26.2%。

主 题 词：DRAM系统 内存控制器 片上多核 多通道 访存特性 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3772/j.issn.10020-470.2013.07.004

馆 藏 号：203150355...