具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS设计

作     者：王卓 邹杰 周锌 卢慕婷 乔明 张波 WANG Zhuo;ZOU Jie;ZHOU Xin;LU Muting;QIAO Ming;ZHANG Bo

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

基　　金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题(KFJJ201203) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2013年第43卷第6期

页      码：841-845页

摘      要：提出了一种具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS器件。借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压。通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻。与常规nLDMOS结构相比,该器件不仅具有高的击穿电压,而且制造工艺简单、成本低。

主 题 词：SOI nLDMOS 降低表面场 多阶场板 击穿电压 比导通电阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203150370...