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IC高密度陶瓷外壳串扰对信号完整性的影响

IC高密度陶瓷外壳串扰对信号完整性的影响

作     者:蒋纬 郑宏宇 赵祖军 

作者机构:中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物:《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期:2014年第39卷第3期

页      码:220-225,232页

摘      要:在高密度陶瓷封装外壳设计中,遇到的包括单信号线的延迟、反射和多信号线间的串扰等噪声问题,以及电源完整性问题,这些问题都严重影响整个电子系统性能的信号完整性。基于高速电路传输线的信号完整性相关基本理论,通过测试和仿真的方法来研究传输线间近端串扰和远端串扰问题。对大规模集成电路外壳CQFP240M进行串扰测试分析,利用仿真软件CST建立微带线和带状线模型,仿真、测试分析相邻传输线间串扰大小的影响因素。根据仿真结果,提出降低串扰的方法,优化设计,提高传输结构性能。

主 题 词:信号完整性 串扰 集成电路 陶瓷封装 仿真 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.03.012

馆 藏 号:203150492...

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