基于CMOS工艺的双层非制冷热敏电阻型红外探测器

作     者：申宁 余隽 黄正兴 唐祯安 SHEN Ning;YU Jun;HUANG Zheng-xing;TANG Zhen-an

作者机构：大连理工大学电子科学与技术学院辽宁大连116023 

基　　金：国家自然科学基金(61131004 61274076)资助项目 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2014年第25卷第5期

页      码：845-850页

摘      要：采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本双层非制冷热敏电阻型红外探测器。探测器采用隐藏桥腿式微桥结构,使用表面牺牲层技术实现,其中包括Al、W和Si3种牺牲层材料。CMOS工艺加工完成后,双层微桥结构的微机械加工过程只需进行湿法腐蚀即可,成本较低。对双层红外探测器的热性能和光电特性进行测试,其热导为1.96×10-5 W/K,热容为2.23×10-8 J/K,热时间常数为1.14ms。当红外辐射调制频率为10Hz时,双层红外探测器的电压响应率为2.54×104 V/W,探测率为1.6×108 cm·Hz1/2/W。

主 题 词：CMOS红外探测器 非制冷红外探测器 低成本红外探测器 多牺牲层 双层红外探测器 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2014.05.016

馆 藏 号：203150578...