一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型

作     者：姜凡 尹雪松 刘忠立 JIANG Fan;YIN Xue-song;LIU Zhong-li

作者机构：中国科学院半导体研究所北京100083 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2005年第35卷第2期

页      码：138-141页

摘      要：　文章描述了PDSOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PDSOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法。最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8μmPDSOI128kSRAM的灵敏放大器,给出了仿真结果。

主 题 词：部分耗尽 绝缘体上硅 体接触 浮体效应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2005.02.009

馆 藏 号：203150997...