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SiO_2平面光波导的PECVD制备和膜层特性研究

SiO_2平面光波导的PECVD制备和膜层特性研究

作     者:陈思乡 江征风 胡业发 刘文 CHEN Si-xiang;JIANG Zheng-feng;HU Ye-fa;LIU Wen

作者机构:武汉理工大学机电工程学院湖北武汉430070 武汉邮电科学研究院湖北武汉430074 

出 版 物:《光通信研究》 (Study on Optical Communications)

年 卷 期:2005年第5期

页      码:68-70页

摘      要:研究了等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)的光波导膜层的光学特性,论述了沉积工艺参量和退火处理对膜层性能的影响,优化工艺获得了高质量的波导膜层,成功设计制作了在1 550 nm中心波长损耗低于0.1 dB/cm的平面光波导和阵列波导光栅(AWG)器件。

主 题 词:平面光波导 SiO2波导 等离子体增强化学汽相沉积 

学科分类:08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D O I:10.3969/j.issn.1005-8788.2005.05.019

馆 藏 号:203151581...

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