CMOS电路中的闩锁效应研究

作     者：牛征 NIU Zheng

作者机构：无锡华润矽科微电子有限公司江苏无锡214061 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2007年第7卷第3期

页      码：24-27页

摘      要：闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测试方法。最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。

主 题 词：闩锁效应 寄生双极晶体管 集总器件模型 版图设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2007.03.007

馆 藏 号：203151625...