A Ka-Band PHEMT MMIC 1W Power Amplifier

作     者：喻梦霞 李爱斌 徐军 Yu Mengxia;Li Aibin;Xu Jun

作者机构：电子科技大学物理电子学院成都610054 

基　　金：砷化镓功率器件和超高速集成电路国防科技重点实验室基金资助项目(批准号:51432060105DZ0213) 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第10期

页      码：1513-1517页

摘      要：The performance of a microwave monolithic integrated circuit .（MMIC） amplifier with high output power in the Ka-band is presented. Using 75mm 0.25μm GaAs PHEMT technology provided by the Hebei Semiconductor Research Institute, this three-stage power amplifier, with a chip size of 19.25mm^2 （3.5mm × 5.5mm）, on 100μm GaAs substrate achieves a linear gain of more than 16dB in the 32.5-35.5GHz frequency range,with an average output power at 1dB gain compression of P1dB = 29. 8dBm and a maximum saturated output power of Psat = 31dBm.

主 题 词：Ka-band power amplifier PHEMT MMIC 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.10.004

馆 藏 号：203151639...