Si/C/N晶须的微波介电性能

作     者：焦桓 周万城 罗发 

作者机构：西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072 

基　　金：航空基金(2G53045) 

出 版 物：《复合材料学报》 (Acta Materiae Compositae Sinica)

年 卷 期：2003年第20卷第4期

页      码：34-38页

摘      要：　研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能。利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC。热重分析表明该晶须在700℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性。测定了Si/C/N晶须的复介电常数与作用频率的关系,并计算了介电损耗角正切。依据介电性能数据,分别设计了单层和双层吸波材料,对所设计材料的吸波性能进行了计算。对Si/C/N纳米晶须的吸波机理进行了初步的探讨。

主 题 词：Si/C/N 抗氧化性 复介电常数 吸波材料 吸波机理 

学科分类：0817[工学-轻工类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0801[工学-力学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1000-3851.2003.04.008

馆 藏 号：203151997...