英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术

出 版 物：《单片机与嵌入式系统应用》 (Microcontrollers & Embedded Systems)

年 卷 期：2016年第16卷第6期

页      码：87-87页

摘      要：英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiCMOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

主 题 词：MOSFET 碳化硅 技术 股份公司 功率密度 产品设计 电源转换 高可靠性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203152023...