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芯片级原子钟碱金属吸收泡

芯片级原子钟碱金属吸收泡

作     者:黄旼 朱健 石归雄 曹远洪 王文军 HUANG Min;ZHU Jian;SHI Guixiong;CAO Yuanhong;WANG Wenjun

作者机构:南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 成都天奥电子股份有限公司成都611731 

出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期:2015年第35卷第3期

页      码:307-页

摘      要:基于原子相干布局囚禁(Coherent population trapping)原理的芯片级原子钟是原子钟微型化发展的必然趋势,其中的核心微型化碱金属吸收泡起着关键性的作用。南京电子器件研究所与成都天奥电子股份有限公司联合研究。

主 题 词:芯片级 结构设计 trapping 双腔 圆片 联合研究 吸收谱线 样品图 本征吸收 漏气率 

学科分类:08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

馆 藏 号:203152041...

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