横向多晶硅p^＋P^-n^＋结非致冷红外焦平面

作     者：陈二柱 唐成伟 江美玲 梁平治 

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所上海200083 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2005年第26卷第B3期

页      码：12-15页

摘      要：应用标准CMOS工艺，同时结合体硅微机械加工技术，研制成功横向多晶硅p^+P^-n^+微测辐射热计单元；基于研制成功的微测辐射热计，设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面。采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p^+P^-n^+结热敏响应元和读出电路；在CMOS工艺完成后，辅以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺，制备微桥形式的热绝缘结构，从而方便地实现了CMOS读出电路与探测器阵列的单片集成。在3～5μm红外波段，微测辐射热计的电压响应率为5．7×10^3V／W，黑体探测率D^*为1．2×10^8cm·Hz^1/2·W。焦平面采用行读出模式的结构，信号读出采用栅调制积分电路，输出级采用外接负载电阻的源极跟随电路，将探测器单元产生的信号按顺序串行单端输出。

主 题 词：多晶硅p^+P^-n^+结 非致冷红外焦平面 读出电路 CMOS工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5868.2005.z1.004

馆 藏 号：203153095...