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0.18μm CMOS工艺连续速率CDR电路设计

0.18μm CMOS工艺连续速率CDR电路设计

作     者:马庆培 张长春 陈德媛 刘蕾蕾 郭宇锋 

作者机构:南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003 东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 

基  金:国家自然科学基金资助项目(61076073) 中国博士后科学基金资助项目(2012M521126) 江苏省自然科学基金资助项目(BK20130878 BK2012435) 东南大学毫米波国家重点实验室开放基金资助项目(K201223) 南京邮电大学科研启动金资助项目(NY211016) 南京邮电大学科学技术创新培训计划资助项目(SJD2012006) 

出 版 物:《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期:2013年第38卷第12期

页      码:893-898页

摘      要:采用标准0.18μmCMOS工艺,设计了一种连续速率时钟与数据恢复(CDR)电路。该CDR电路主要由半速率鉴频鉴相器、多频带环形压控振荡器、电荷泵和判决电路等模块组成。其中,半速率鉴频鉴相器主要由四个双边沿触发器组成,结构简单,功耗和面积相应降低。多频带环形压控振荡器同时满足了较宽的调谐范围和较低的调谐增益,可以解决高振荡频率和低调谐增益之间的矛盾。电荷泵采用增益自举共源共栅放大器和互补开关电路结构,减小了各种非理想因素的影响。并行判决电路实现数据的1:2分接输出。仿真结果表明,该CDR电路能正常恢复622~3125Mbit/s的伪随机数据。版图尺寸为691μm×543μm。在1.8V电源电压下,输入伪随机速率3125Mbit/s时,功耗为120mW,恢复出的数据和时钟的抖动峰峰值分别为5.18和4.41ps。

主 题 词:时钟与数据恢复(CDR) 鉴频鉴相器(PFD) 压控振荡器(VCO) 电荷泵  续速率 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1003-353x.2013.12.002

馆 藏 号:203153442...

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