基于功率合成器的20 GHz CMOS功率放大器设计

作     者：李红 贺章擎 徐元中 Li Hong;He Zhangqing;Xu Yuanzhong

作者机构：湖北工业大学计算机科学与技术学院湖北武汉430068 华中科技大学计算机科学与技术学院湖北武汉430074 湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心湖北武汉430068 

基　　金：太阳能高效利用湖北省协同创新中心开放基金项目(HBSKFZD2014010) 

出 版 物：《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期：2016年第42卷第5期

页      码：39-41页

摘      要：设计了一个工作频率高达20 GHz、最高输出功率23.4 dBm的CMOS功率放大器(PA),该PA由两级放大器组成,采用全差分Cascode电路结构。PA的输入、级间、输出匹配网络均采用片上变压器实现,实现单端输入、单端输出,功率合成器用来提高PA的输出信号摆幅。该PA基于TSMC 0.18μm CMOS工艺模型进行设计,采用Agilent ADS软件进行PA性能仿真和片上变压器的设计,版图仿真结果表明:在20 GHz频段内,PA的输入、输出完全匹配(S11=-13.85 dB、S22=-10.94 d B),小信号增益S21达到21.5 dB,芯片面积仅为0.56 mm^2。

主 题 词：CMOS 功率放大器 变压器 功率合成 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16157/j.issn.0258-7998.2016.05.011

馆 藏 号：203153554...