基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器

作     者：来晋明 罗嘉 由利人 杨瑜 赵伟星 彭安尽 Lai Jinming;Luo Jia;You Liren;Yang Yu;Zhao Weixing;Peng Anjin

作者机构：西南电子设备研究所成都610036 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2015年第40卷第1期

页      码：44-48,72页

摘      要：基于Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）技术,研制了在0.8-4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器。采用3 d B耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与Si C接近的铜-钼-铜载板作为Ga N HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁。测试结果表明,在0.8-4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 d B,增益平坦度为±1.5 d B,饱和输出功率值大于58.2 W,漏极效率为41%-62%。

主 题 词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 宽带功率放大器 平衡功率放大器 宽带匹配 3dB耦合器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.009

馆 藏 号：203153928...