一种提高硅集成电感Q值的方法

作     者：刘畅 陈学良 严金龙 

作者机构：中国科学院上海冶金研究所微电子学分部上海200233 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2002年第8卷第1期

页      码：1-4页

摘      要：设计和制作了硅集成电感,采用常规的硅工艺,在衬底形成间隔的pn结隔离来减少硅衬底的涡流损耗。实验测量了硅集成电感的S参数并研究了衬底结隔离对硅集成电感的电感量和品质因素(Q)的影响。结果表明一定深度的衬底结隔离能有效地使电感Q值提高40%。

主 题 词：硅集成电感 Q值 涡流 品质因数 电感量 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.001

馆 藏 号：203153982...