忆阻器阻变随机存取存储器及其在信息存储中的应用

作     者：段书凯 胡小方 王丽丹 李传东 MAZUMDER Pinaki 

作者机构：西南大学电子信息工程学院重庆400715 Department of Electrical Engineering and Computer Science University of Michigan 重庆大学计算机学院重庆400044 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60972155 61101233 60974020) 重庆市自然科学基金(批准号:CSTC2009BB2305) 中央高校基本科研业务费专项(批准号:XDJK2012A007 XDJK2010C023) 重庆市高等学校青年骨干教师资助计划(渝教人(2011)65号) 重庆市高等学校优秀人才支持计划(渝教人(2011)65号) 西南大学博士科研资助项目(批准号:SWUB2008074) 西南大学教育教学改革研究项目(批准号:2009JY053 2010JY070)资助 中国博士后科学基金(批准号:CPSF20100470116) 重庆市高等教育教学改革研究重点项目(批准号:09-2-011) 

出 版 物：《中国科学：信息科学》 (Scientia Sinica(Informationis))

年 卷 期：2012年第42卷第6期

页      码：754-769页

摘      要：忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻,可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM),也称为阻变随机存取存储器(RRAM).本文提出了一种基于忆阻器的阻变随机存取存储器(MRRAM)——可与现代计算系统相兼容的纳米级二值存储器实现方案,其结构与静态随机存取存储器(SRAM)类似,但用忆阻器替代基本RS触发器存储信息.在此基础上,通过改进该MRRAM,可以实现在一个存储单元中存储多比特信息(以灰度级形式)的多值存储器,大大提高了存储密度.给出的计算机仿真和数值分析验证了本方案在存储ASCII字符和图像中的有效性,探讨了灰度图像存储的新方法.

主 题 词：忆阻器 阻变随机存取存储器(RRAM) 电路设计 二值存储 多值存储 计算机仿真 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.1360/zf2012-42-6-754

馆 藏 号：203154082...