MOS控制晶闸管(MCT)的设计

作     者：冯玉春 刘玉书 

作者机构：西安电力电子技术研究所 临潼七七一所 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：1994年第28卷第1期

页      码：55-57页

摘      要：讨论了MCT的结构设计及耐压设计.通过对结构参数的最佳化选择,制造出开关电流9A,耐压900V的MCT芯片.n沟MOS阈值电压为2V,p沟MOS阈值电压为-5V.当门极加-7V电压时,其关断电流密度为220A/cm^2.

主 题 词：MOS控制 晶闸管 设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203154624...