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外腔半导体激光器的两种窄谱机制

外腔半导体激光器的两种窄谱机制

作     者:任晓敏 叶培大 Ren Xiaomin and Ye Peida(Beijing University of Posts and Telecommunications)

作者机构:北京邮电学院 

基  金:国家自然科学基金资助项目的一部分 

出 版 物:《通信学报》 (Journal on Communications)

年 卷 期:1989年第10卷第1期

页      码:8-14页

摘      要:本文区分和研究外腔半导体激光器的两种窄谱机制,从而简捷地得出了其线宽公式。本文的基本思想对于优化外腔半导体激光器的设计和探索新的外腔结构具有指导意义。

主 题 词:激光器 半导体 外腔 窄谱机制 

学科分类:080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

馆 藏 号:203154627...

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