采用电化学自终止腐蚀制造硅传声器

作     者：朱海军 

作者机构：复旦大学电子工程系传感器研究室 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1996年第12卷第4期

页      码：45-47页

摘      要：简述了单晶硅压阻式传声器的结构参数设计和工艺制造技术，采用ｐｎ结自终止电化学腐蚀技术获得薄且平整性较好的振膜。测试结果表明：１ｋＨｚ时灵敏度为－５８．４ｄＢ／Ｐａ。

主 题 词：硅传声器 自终止腐蚀 振膜 声传感器 制造 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.1996.04.011

馆 藏 号：203154654...