RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进

作     者：蔡描 郭兴龙 刘蕾 陈瑾瑾 赖宗声 CAI Miao;GUO Xing-long;LIU Lei;CHEN Jin-jin;LAI Zong-sheng

作者机构：华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 

基　　金：上海市科委AM基金资助项目(AM0301) 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2006年第25卷第7期

页      码：40-42页

摘      要：通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法，使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高。在工艺上，特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点。测试结果表明：开关的下拉电压为28V，最低开关时间为0．8μs，开关寿命达7×10^5次，0～10GHz的插入损耗在0～0．5dB，隔离度为35～45dB。

主 题 词：射频微机械开关 聚酰亚胺 全刻蚀 半刻蚀 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-9787.2006.07.013

馆 藏 号：203154672...