用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数

作     者：陈俊 刘训春 CHEN Jun;LIU Xun-chun

作者机构：中国科学院微电子研究和发展中心北京100029 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2001年第22卷第1期

页      码：79-82页

摘      要：微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取 HFET的小信号等效电路模型参数 .采用带回火的模拟退火算法从 S参数提取 HFET小信号等效电路模型参数 ,得到了高质量的解 .计算结果是全局最优解 ,摆脱了初始值的影响 ,并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题 .利用测量得到的栅电阻 ,计算结果的精度可以进一步提高 .这个算法同样也适用于 HBT。

主 题 词：参数提取 模拟退火算法 HEET S参数 小信号等效电路 集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2001.01.015

馆 藏 号：203155331...