垂直GaN-SBD的场限环-场板复合终端结构设计

作     者：张峻 郑理 沈玲燕 周学通 苏杭 程新红 ZHANG Jun;ZHENG Li;SHEN Lingyan;ZHOU Xuetong;SU Hang;CHENG Xinhong

作者机构：集成电路材料全国重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京101408 

基　　金：国家重点研发计划(2022YFB3604300,2022YFB3604301,2022YFB3604303) 国家自然科学基金(11705263) 上海市科委项目(23511102602) 中国科学院青年创新促进会 集成电路材料全国重点实验室自主课题(SKLJC-Z2024-C02) 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2024年第30卷第5期

页      码：233-238页

摘      要：垂直GaN-SBD需要采用终端结构缓解阳极边缘电场集中现象,进而提高击穿电压。场限环终端结构可有效实现上述功能,但消耗的芯片面积较大,降低了一定面积晶圆上器件的数量。针对这一问题提出了场限环-场板复合终端结构,利用场板分散场限环边缘的电场,从而在保持器件击穿电压的同时减少场限环数量,减小器件的面积。通过TCAD仿真系统地研究了场限环-场板复合终端结构对垂直GaN-SBD击穿电压及阳极边缘附近的电场分布情况的影响。仿真表明,当维持相同的击穿电压(1700V),复合终端结构所需的场限环数量可减少2个,终端面积减小16.47%,而且阳极边缘的电场强度明显降低。

主 题 词：垂直GaN-SBD 复合终端结构 场限环 场板 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.20027/j.gncq.2024.0038

馆 藏 号：203155449...