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飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET提供业界最薄的尺寸

飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET提供业界最薄的尺寸

作     者:本刊通讯员 

出 版 物:《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期:2008年第8卷第12期

页      码:6-6页

摘      要:飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用1mm×1.5mm×0.4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P,能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench。工艺设计,结合先进的WL—CSP封装,将RDS(ON)和所需的PCB空间减至最小。

主 题 词:P沟道MOSFET 飞兆半导体公司 CSP封装 MOSFET器件 RDS(ON) 尺寸 额定电压 工艺设计 

学科分类:080903[080903] 080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D O I:10.16257/j.cnki.1681-1070.2008.12.021

馆 藏 号:203155634...

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