一种Divided RESURF高压互连结构研究

作     者：张昕 乔明 ZHANG Xin;QIAO Ming

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2015年第15卷第7期

页      码：24-27页

摘      要：高压互连是功率集成电路中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求也与日俱增。围绕高压互连技术进行研究,使用Divided RESURF技术设计一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,通过进行二维仿真,优化其结构和掺杂浓度等参数,器件的击穿耐压达到903 V,可用于600 V高压集成电路中。

主 题 词：高压互连线 击穿耐压 Divided RESURF 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2015.0074

馆 藏 号：203155634...