V波段5 W高效率GaN功率放大器MMIC设计

作     者：游恒果 张翔 张翊 徐军 

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 电子科技大学物理学院四川成都611731 上海无线电设备研究所上海201108 

出 版 物：《通讯世界》 (Telecom World)

年 卷 期：2024年第31卷第11期

页      码：1-3页

摘      要：设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC),该功率放大器采用130 nm的GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)工艺。该功率放大器MMIC由两个功率放大器子电路和威尔金森功分器构成,设计中每个子电路均采用三级放大的拓扑结构,并通过高低阻抗微带线实现输入、输出及级间的阻抗匹配。该功率放大器MMIC的饱和输出功率为37 dBm(5 W),功率附加效率峰值达到22%。

主 题 词：V波段 GaN 功率放大器 单片微波集成电路 威尔金森 功率合成 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-4222.2024.11.001

馆 藏 号：203155706...