CMOS单片集成超低压差线性稳压器设计

作     者：余华 邹雪城 YU Hua;ZOU Xue-cheng

作者机构：华中科技大学电子与科学技术系 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90207020) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2007年第30卷第3期

页      码：859-862页

摘      要：设计了一种具有过热保护、限流保护、快速启动等特性的CMOS单片集成超低压差线性稳压器,对其电路结构及其工作原理进行了分析,给出了主要子模块电路的设计方案,提出了设计方法和设计中所需考虑的问题。该稳压芯片,输入电压范围为2.5～6V,输入输出压差的典型值为0.4mV@1mA和52mV@150mA,电压调整率典型值为0.0126%/V,负载调整率典型值为0.00012%,静态电流的典型值为85μA。

主 题 词：超低压差 线性稳压器 线性调整 负载调整 低静态电流 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.034

馆 藏 号：203156239...