一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计

作     者：牛宗超 杨发顺 吴宗桂 丁召 张正平 NIU Zong-chao;YANG Fa-shun;WU Zong-gui;DING Zhao;ZHANG Zheng-ping

作者机构：贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室贵州贵阳550025 

基　　金：国家自然科学基金(60666001) 教育厅项目(黔教科2008004号) 贵州省自然科学基金(黔科合丁字3033) 喀斯特地区灾后农村信息化建设项目子课题(2008BADB6B01-03) 喀斯特地区灾后农村信息化建设项目子课题(2008BADB6B02-06) 贵州省科技厅中药现代化专项(黔科合社字5015) 贵州省科技厅农业攻关项目(黔科合NY字(2009)3051) 

出 版 物：《贵州大学学报（自然科学版）》 (Journal of Guizhou University:Natural Sciences)

年 卷 期：2010年第27卷第2期

页      码：59-61,69页

摘      要：利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40-85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃下,1 KHz时,电源抑制比达88 dB.

主 题 词：带隙基准源 温度系数 电源抑制 电压减法器 运放反馈 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-5269.2010.02.016

馆 藏 号：203156352...