GaAs MMIC抗静电能力研究

作     者：叶禹康 孙伟东 俞土法 金毓铨 

作者机构：南京电子器件研究所210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：1999年第19卷第4期

页      码：433-437页

摘      要：用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行研究，叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施，采用这些措施后，低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值达到５００～８００ Ｖ。

主 题 词：砷化镓 MMIC 抗静电 微波集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203156390...