一种带氧化槽的双栅LDMOS

作     者：臧凯旋 方健 吴杰 贺雅娟 陶垠波 ZANG Kaixuan;FANG Jian;WU Jie;HE Yajuan;TAO Yinbo

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2013年第43卷第2期

页      码：287-291页

摘      要：提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻。采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计。结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%。在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGTLDMOS的比导通电阻下降了35.4%。

主 题 词：氧化槽 双栅 比导通电阻 LDMOS 功率器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2013.02.032

馆 藏 号：203156493...