AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取

作     者：吴淇暄 张贺秋 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 WU Qixuan;ZHANG Heqiu;ZHU Jiang;NING Siyuan;DAI Xiao;WANG Zikun;LIANG Hongwei

作者机构：大连理工大学集成电路学院辽宁大连116024 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45) 大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013) 

出 版 物：《大连理工大学学报》 (Journal of Dalian University of Technology)

年 卷 期：2025年第65卷第1期

页      码：105-110页

摘      要：有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaN HEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm.

主 题 词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.7511/dllgxb202501013

馆 藏 号：203156544...