高性能、实用型氢离子敏传感器的研究

作     者：陈德英 周天舒 唐国洪 

作者机构：东南大学微电子中心南京210018 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1992年第8卷第6期

页      码：30-32,61页

摘      要：本文简要地介绍了H^+-ISFET(氢离子敏场效应晶体管)的基本结构和工作原理,分析了目前多数常规H^+-ISFET在结构上的不足之处和对实际pH值测量结果的不利影响,提出了一种实用型背面接触式H^+-ISFET。同时,文中对该结构在版图设计和工艺设计中的有关问题,进行了有益的探讨。最后指出:这种背面接触式H^+-ISFET在实际pH值的测量中有较好的实用价值。

主 题 词：传感器 氢离子 敏传感器 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.1992.06.006

馆 藏 号：203156545...