面向MMC应用的大功率IGCT器件加速老化试验拓扑研究

作     者：朱鸿凡 吴锦鹏 王鹏 刘佳鹏 陈政宇 余占清 赵彪 曾嵘 ZHU Hongfan;WU Jinpeng;WANG Peng;LIU Jiapeng;CHEN Zhengyu;YU Zhanqing;ZHAO Biao;ZENG Rong

作者机构：清华大学电机工程与应用电子技术系北京市海淀区100084 

基　　金：国家电网有限公司科技项目(5500-202199513A-0-5-ZN) 

出 版 物：《中国电机工程学报》 (PROCEEDINGS OF THE CHINESE SOCIETY FOR ELECTRICAL ENGINEERING)

年 卷 期：2025年第45卷第1期

页      码：266-276,I0022页

摘      要：集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor, IGCT)具有阻断电压高、通流能力强等特点,在柔性直流输电等领域具有广阔的应用潜力,但其在高电压、大通流应力下的可靠性问题,成为限制应用的潜在因素,如何针对不同工况开展加速老化等效测试成为开展可靠性研究的关键瓶颈。文中以模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)工况为代表,针对IGCT器件可靠性等效测试难题开展研究。首先分析MMC工况下IGCT器件的暂态电气应力和长期电热应力,分别采用TCAD仿真软件与平均值等效计算模型定量获得IGCT器件在实际工况下的应力大小;其次,基于应力分析结果,提出一种三半桥式两级电流应力加速老化试验拓扑,设计并搭建2 500 V/4 000 A/150 Hz参数的IGCT加速老化试验平台;最后,开展约100 h高压、大电流老化运行试验,验证平台具备长时运行的能力,且等效测试应力达到设计要求。所提出的等效拓扑及其构建方法,不仅解决了MMC工况下IGCT器件的加速老化测试问题,对其他交直流变换工况、其他类型功率半导体亦有很好的参考价值。

主 题 词：集成门极换流晶闸管 可靠性 加速老化试验 电热应力 电力电子 

学科分类：080802[080802] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13334/j.0258-8013.pcsee.232083

馆 藏 号：203156916...