基于低温铜烧结技术的大功率碳化硅模块电热性能表征

作     者：闫海东 蒙业惠 刘昀粲 刘朝辉 YAN Haidong;MENG Yehui;LIU Yuncan;LIU Chaohui

作者机构：浙江大学电气工程学院杭州310027 桂林电子科技大学机电工程学院广西桂林541004 北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司北京100176 

基　　金：国家重点研发计划(2021YFB3602303) 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2025年第25卷第3期

页      码：78-83页

摘      要：SiC器件的比导通电阻仅有Si基器件的1/5,在高频、高温、高功率密度的车规级封装领域展现出更大优势,但SiC器件的高通流密度对其散热设计提出了更高要求。虽然高热导率、低工艺温度、高服役温度的银烧结有助于优化功率模块的热管理,但存在烧结银成本过高与电迁移问题。针对上述问题提出了一种针对SiC器件的全铜烧结互连方法,高质量铜互连层的剪切强度超过130 MPa。与传统功率模块相比,全铜烧结功率模块的结-壳热阻降低了6.12 K/kW(12.47%),动、静态测试结果表明,模块具有良好的电学性能。

主 题 词：功率模块封装 铜烧结 铜线键合 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0063

馆 藏 号：203156946...