平面集成TVS二极管对半导体桥火工品换能元性能的影响因素

作     者：陶禹任 王磊 周彬 王军 TAO Yu-ren;WANG Lei;ZHOU Bin;WANG Jun

作者机构：南京理工大学化学与化工学院江苏南京210094 

出 版 物：《含能材料》 (Chinese Journal of Energetic Materials)

年 卷 期：2025年第33卷第1期

页      码：73-81页

摘      要：为探究平面集成瞬态抑制二极管(TVS)对半导体桥(SCB)火工品换能元性能的影响因素以及规律,通过电容放电发火实验,研究了平面集成TVS二极管的并联数量与击穿电压对半导体桥火工品换能元的电爆性能的影响,并通过500 pF/500Ω/25 kV静电放电实验,研究了其对半导体桥火工品换能元的静电可靠性能的影响。结果表明,当激励能量使单个平面集成TVS二极管单位时间吸收的能量接近上限时,增加平面集成TVS二极管并联数量会延长SCB火工品换能元的爆发时间,影响SCB火工品换能元正常爆发,反之,若激励能量不足以使单个平面集成TVS二极管单位时间吸收的能量接近其上限,则SCB火工品换能元爆发性能不会随并联平面集成TVS二极管的数量变化而变化;当激励电压大于平面集成TVS二极管的击穿电压时,TVS二极管击穿电压越低,SCB火工品换能元的爆发时间越长,爆发能量越大,甚至影响SCB火工品换能元正常爆发;降低平面集成TVS二极管的击穿电压、增加并联数量都能够提高SCB火工品换能元的静电可靠性能;设计桥区尺寸为350μm(W)×100μm(L)×2μm(H)的抗静电集成半导体桥芯片时可以集成两个击穿电压略低于14 V或一个击穿电压略高于7 V的TVS二极管。

主 题 词：抗静电集成半导体桥芯片 火工品 TVS二极管 电爆性能 

学科分类：082604[082604] 08[工学] 082603[082603] 0826[工学-生物医学工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.11943/CJEM2024112

馆 藏 号：203157013...