《半导体器件与集成电路设计基础》课程实践教学改革——场效应管中Si纳米线湿法腐蚀

作     者：张杰 范瑜 ZHANG Jie;FAN Yu

作者机构：常熟理工学院电子信息工程学院江苏常熟215500 

出 版 物：《广州化工》 (GuangZhou Chemical Industry)

年 卷 期：2025年第53卷第1期

页      码：208-211页

摘      要：硅湿法腐蚀工艺作为硅基集成电路制造中最基础、最关键技术之一,已被广泛地应用于实际生产中。利用硅各向异性湿法腐蚀,我们设计制作了场效应管中Si纳米线沟道。该实践教学覆盖了《半导体器件与集成电路设计基础》课程中多个重要知识点,包含MOSFET器件、薄膜淀积、光刻、干法刻蚀及湿法腐蚀等内容。理论与实践彼此相互促进的整合教学模式,能加深学生对专业理论知识的理解,培养学生工程实践能力,同时帮助学生了解科学前沿,激发其科研兴趣。

主 题 词：半导体器件 集成电路制造工艺 实践课程 场效应管 硅湿法腐蚀 

学科分类：0401[教育学-教育学类] 04[教育学] 040102[040102] 

D　O　I：10.20220/j.cnki.1001-9677.2025.01.058

馆 藏 号：203157054...