Si基InGaN可见光器件研究进展

作     者：刘力玮 肖嘉滢 文灿 周楚翘 曹怡诺 林正梁 李彤彤 闫梓欣 王文樑 LIU Liwei;XIAO Jiaying;WEN Can;ZHOU Chuqiao;CAO Yinuo;LIN Zhengliang;LI Tongtong;YAN Zixin;WANG Wenliang

作者机构：华南理工大学材料科学与工程学院广东广州510641 

基　　金：国家级大学生创新创业训练计划资助项目(202410561010) 

出 版 物：《金属世界》 (Metal World)

年 卷 期：2025年第1期

页      码：13-24页

摘      要：Si基InGaN材料因其高电子迁移率,高抗辐射,带隙可调等光电特性,在可见光通信领域展现出良好的潜力。但其发展依旧面临着材料位错密度高、器件性能差及集成度低等问题。为了解决上述问题,研究人员在材料性能,器件设计与集成等方面开展系统地研究并取得了重要进展。本文从材料位错密度调控、器件结构设计与器件集成3个方面讨论了Si基InGaN可见光器件的研究进展及面临的问题,并展望了其发展前景。

主 题 词：可见光通信 器件研究 位错密度 器件性能 器件结构 InGaN 器件设计 光电特性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-6826.2024.09.1001

馆 藏 号：203157087...