GaP/SiH范德华异质结构的可调谐电子和光学特性的第一性原理研究

作     者：郭鑫 马永强 鲍爱达 邓蕊 秦丽 张文琦 徐厚敦 GUO Xin;MA Yongqiang;BAO Aida;DENG Rui;QIN Li;ZHANG Wenqi;XU Houdun

作者机构：中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 武警工程大学密码工程学院西安710086 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:62204232)资助 

出 版 物：《高等学校化学学报》 (Chemical Journal of Chinese Universities)

年 卷 期：2025年第46卷第2期

页      码：135-142页

摘      要：预测并构建了一种Ⅱ型的GaP/SiH异质结构,并对其结构特性、电子特性和光学特性进行了研究.结果表明,该GaP/SiH异质结构属于典型的Ⅱ型范德华异质结构,展现出卓越的能量稳定性.GaP/SiH异质结构的带隙为2.24 eV,Ⅱ型能带结构的排列有效抑制了光生载流子的复合.通过施加不同的双轴应变和垂直应变,可以对异质结的电子结构进行一定范围内的精确调控.GaP/SiH异质结构在可见光和紫外光区也表现出优异的光吸收性能,吸收率可达2.34×10^(6)cm^(−1).GaP/SiH异质结构表现出的优异性能为光电子器件的设计提供了参考.

主 题 词：第一性原理 GaP/SiH范德华异质结构 光吸收 

学科分类：12[管理学] 081704[081704] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070304[070304] 070205[070205] 08[工学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 0817[工学-轻工类] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7503/cjcu20240410

馆 藏 号：203157122...