栅控横向PNP双极晶体管基极电流峰值展宽效应及电荷分离研究

作     者：马武英 王志宽 陆妩 席善斌 郭旗 何承发 王信 刘默寒 姜柯 Ma Wu-Ying;Wang Zhi-Kuan;Lu Wu;Xi Shan-Bin;Guo Qi;He Cheng-Fa;Wang Xin;Liu Mo-Han;Jiang Ke

作者机构：中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 模拟集成电路国家重点实验室 中国电子科技集团公司第24研究所重庆400060 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2014年第63卷第11期

页      码：218-223页

摘      要：为了对双极器件在电离辐射环境下的损伤机理及加固技术进行深入的研究,对设计制作的不同工艺类型的栅控横向PNP双极晶体管进行了60Co-γ低剂量率辐照试验.结果表明:1)栅控双极晶体管的辐射特性具有很强的工艺相关性,钝化层的存在对于双极晶体管的辐射响应具有很大影响,有钝化层的器件在电离辐射环境中会产生更多的界面态,其抗辐射能力大大减弱;2)针对国产栅控横向PNP晶体管在低剂量率辐照时会发生峰值电流展宽效应,文中对展宽效应潜在机理进行了分析,并针对展宽效应提出了新的分离方法.这不但对设计抗辐射加固器件提供了依据,而且为进一步深入研究双极器件的低剂量率辐射损伤增强效应提供了强有力工具.

主 题 词：栅控双极PNP晶体管 60Coγ辐照 辐射损伤 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 0805[工学-能源动力学] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.63.116101

馆 藏 号：203157440...