一种含浮栅的肖特基场效应晶体管特性研究

作     者：王继祥 靳晓诗 任国琛 WANG Jixiang;JIN Xiaoshi;REN Guochen

作者机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院沈阳110870 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：2025年第46卷第1期

页      码：20-23页

摘      要：本文提出一种源漏浮栅型场效应晶体管,针对传统PN结型器件在纳米尺度下结变陡的问题,采用金属-本征硅接触形成肖特基势垒,并在器件内部设计可充电的编程浮栅。研究表明,在N型工作模式下,当控制栅加正向电压且浮栅充入正电荷时,可增强栅极与源漏极重叠部分的电场强度,提高导通电流;当控制栅加反向电压时,浮栅中的正电荷减小了重叠区电场强度,降低了能带弯曲程度,从而减小反向漏电。该器件具有高导通电流和低反向漏电特性,且在纳米尺度下制作工艺简单,在未来集成电路中具有良好的应用前景。

主 题 词：浮栅型场效应晶体管 肖特基势垒 低反向漏电 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-2279.2025.01.005

馆 藏 号：203157508...