4 GHz~8 GHz宽带高增益250 W GaN功率放大器设计

作     者：景少红 苏鹏 黄锦文 徐祖银 JING Shaohong;SU Peng;HUANG Jinwen;XU Zuyin

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2025年第41卷第1期

页      码：6-9页

摘      要：研制了一款基于0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺的4 GHz~8 GHz宽带高增益功率放大器。通过对模型管的S参数和I-V曲线进行测试并进行拟合,最终得到氮化镓管芯的大信号等效电路模型,并利用氮化镓管芯的大信号等效电路模型进行精确的仿真设计。为实现高增益,该放大器内部设计有两级晶体管。输入匹配和级间匹配电路采用碳化硅集成功率器件工艺制作,减小匹配电路尺寸。输入合成网络和末级输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工。放大器采用4个12 mm管芯进行合成后实现250 W的功率输出,每个12 mm管芯由2个1.2 mm管芯推动。最终功率放大器在4 GHz~8 GHz频率范围内,在32 V电压条件下,实测脉冲输出功率大于250 W,功率附加效率大于38%,放大器功率增益大于18 dB。功率放大器尺寸为30.8 mm×27.4 mm×5.0 mm。

主 题 词：氮化镓 宽带 高增益 大功率 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14183/j.cnki.1005-6122.JMW24087

馆 藏 号：203157543...