VDMOS功率器件的优化设计与研制

作     者：于军 吴正元 刘三清 张硕 

作者机构：华中理工大学固体电子学系 

基　　金：国家重点企业技术开发项目 

出 版 物：《华中理工大学学报》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology)

年 卷 期：1993年第21卷第3期

页      码：174-178页

摘      要：讨论了VDMOS功率器件的外延层结构,结终端技术,芯片背面多层金属化的优化设计理论与器件制造工艺技术;导出了BV_(DS)≥500V,I_(DS)≥IA的VDMOS外延层结构参数和终端结构模型与参数,给出了芯片背面多层金属化的工艺条件和制造VDMOS芯片的集成电路平面工艺流程.

主 题 词：半导体器件 芯片 集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.13245/j.hust.1993.03.033

馆 藏 号：203157688...