半导体物理的一些新进展

作     者：谢希德 

作者机构：复旦大学 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：1989年第9卷第4期

页      码：351-352页

摘      要：1980年第15届国际半导体物理会议上,日本物理学家植村泰忠曾预言半导体物理研究的对象将从晶态转向非晶态,以体内转向表面,从天然存在的材料转向人工设计的材料,对半导体中缺陷的研究将从浅能级转向深能级。对稳态过程的研究逐步转向对瞬态的研究。将近十年的工作大致是沿着他的预测发展的。在异质结构、量子阱、表面和界面,半导体中的缺陷以及非晶态半导体等领域的理论和实验研究都有些饶有兴趣的结果。

主 题 词：半导体 物理 半导体物理 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203157738...