注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应

作     者：李新 刘沁 LI Xin;LIU Qin

作者机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院辽宁沈阳110178 沈阳仪表科学研究院辽宁沈阳110043 

基　　金：辽宁省自然基金项目(20102162) 辽宁省微纳米技术及系统重点实验室 微系统与微制造辽宁省高校重点实验室开放基金项目 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：2011年第6期

页      码：1-2页

摘      要：针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应。研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅[110]晶向上的纵向压阻系数随温度的升高而减小,横向压阻系数随温度的升高变化不大。在300℃条件下,硅[110]晶向具有较大的纵向压阻系数和横向阻系数,且性能稳定,适于高温压阻式压力传感器的制作。

主 题 词：压阻效应 注氧隔离 高温 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-1841.2011.06.001

馆 藏 号：203157790...