TFT-LCD静电防止回路模拟与设计

作     者：高文宝 GAO Wen-bao

作者机构：北京京东方光电科技有限公司北京100176 

基　　金：北京市科委科技计划资助项目(No.D0306006000091 No.D0304002000021) 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2007年第22卷第5期

页      码：611-616页

摘      要：为了防止静电放电(ESD)引起静电击穿造成TFT-LCD不良,通过实际测试和PSpice模拟讨论了TFT-LCD在设计过程中,ESD回路设计的规则和容限,通过放电模型的建立,得出显示器分辨率的变化与ESD回路中TFT宽长比(W/L)的关系,确立了静电防止回路的设计方向、规则。模拟分析结果表明:扫描门电极(Horizontal)在分辨率为H1080时ESDW/L设计为38.9/7.4μm,在分辨率为H1200时ESDW/L设计为35.0/7.4μm,满足模拟条件;数据线电极(Vertical)在分辨率为V1600时ESDW/L设计为14.7/7.4μm,在分辨率为V1920时ESDW/L设计为12.2/7.4μm,满足模拟条件。同时,按照此结果,可以得出ESDTFT器件在信号电压±25V变动时,电流值大于±9.5μA;而TFTLCD实际工作电压(<±10V)远小于模拟工作电压(<±25V),实际工作电流值为3～5μA,也小于此电流值,因此验证此模拟结论可行。

主 题 词：薄膜晶体管液晶显示器 静电放电 模拟 分辨率 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.022

馆 藏 号：203157792...