应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x价带结构

作     者：周春宇 刘超 石松宁 宋建军 ZHOU Chunyu;LIU Chao;SHI Songning;SONG Jianjun

作者机构：辽宁工程技术大学电子与信息工程学院辽宁葫芦岛125105 西安电子科技大学微电子学院西安710071 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2010年第30卷第4期

页      码：503-506页

摘      要：应变SiCMOS技术是当前国内外研究发展的重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。基于(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的价带E(k)-k关系模型,研究获得了[100]和[001]晶向的价带结构及相应的空穴有效质量。结果表明,与弛豫材料相比,应变引起了应变Si/(001)Si1-xGex价带顶的劈裂,且同一晶向族内沿[001]和[100]两个晶向的价带结构在应力的作用下不再对称,相应的空穴有效质量随Ge组份有规律地变化。价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该结论为Si基应变PMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据。

主 题 词：应变Si KP法 价带 空穴有效质量 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2010.04.008

馆 藏 号：203157919...