电路板通孔电镀铜四硝基四氮唑蓝抑制剂的模拟研究
作者机构：广西交通职业技术学院汽车工程学院广西南宁530023 广西大学机械工程学院广西南宁530004 西华师范大学化学化工学院四川南充637002
基 金：广西自然科学基金项目(2020GXNSFBA297109) 广西科技重大专项资助(AA22068101) 广西高校中青年教师科研基础能力提升项目-电动汽车高功率逆变器芯片的封装技术研究(2023KY1154) 智能车用高频化电路板对流电镀装置的设计与研究(2023KY1173) 硅通孔(TSV)超级填充电镀铜仿真与实验研究(2024KY1173) 新能源汽车高频电路板互连微孔金属化制造研究(2024KY1183) 先进电子封装玻璃通孔制造及其金属化技术研究(2025KY1168)
出 版 物：《电镀与精饰》 (Plating & Finishing)
年 卷 期：2025年第47卷第3期
页 码：39-46页
摘 要：采用模拟与实验方法研究了四硝基四氮唑蓝(TNBT)抑制剂对柔性电路板浅通孔电镀铜的均镀能力(TP)的影响。首先采用分子动力学(MD)模拟研究了TNBT抑制剂在Cu(111)表面的吸附行为,进一步使用密度泛函理论(DFT)计算揭示了TNBT抑制剂的吸附机制,最后通过电镀实验探明了TNBT抑制剂对通孔电镀TP值的影响规律。结果表明:TNBT分子主要通过苯甲醚和硝基苯等活性位点与Cu(111)表面发生化学吸附作用;TNBT分子的吸附行为主要由其前沿分子轨道分布的官能团所主导;TNBT分子展现较强的铜沉积抑制作用,并显著提高浅通孔电镀的TP值。该抑制剂有效克服了传统添加剂过度依赖对流环境的缺点,能满足浅通孔的超高TP值电镀要求。
学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类]
D O I：10.3969/j.issn.1001-3849.2025.03.006
馆 藏 号：203158025...
