LED光电器件的性能调控

作     者：姚惠林 路纲 宋丽君 王波 YAO Huilin;LU Gang;SONG Lijun;WANG Bo

作者机构：洛阳理工学院电气工程与自动化学院河南洛阳471023 

基　　金：河南省教育厅高等学校重点科研项目 15A510033~~ 

出 版 物：《量子电子学报》 (Chinese Journal of Quantum Electronics)

年 卷 期：2016年第33卷第3期

页      码：301-305页

摘      要：通过对GaN基LED的量子阱垒层进行重新设计,提高了发光二极管(LED)器件的量子效率.并通过理论计算从量子阱的内建电场、载流子分布、电子泄漏、辐射符合效率等方面研究了效率上升的原因。对于LED光电器件,提高辐射复合速率有利于缓解电子泄漏,增加LED的发光功率,缓解LED在大电流下的效率下降。所设计的结构中采用InGaN/GaN作为LED的垒层,减小了由极化引起的静电场,增大了电子和空穴波函数的交叠比,进而增大了辐射复合速率。结果表明在160 mA注入电流下,外量子效率提高了近20%.

主 题 词：光电子学 量子效率 效率下降 电子阻挡层 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-5461. 2016.03.007

馆 藏 号：203158174...