Mg掺杂氧化镓研究进展

作     者：孙汝军 张晶辉 李一帆 郝跃 张进成 SUN Rujun;ZHANG Jinghui;LI Yifan;HAO Yue;ZHANG Jincheng

作者机构：西安电子科技大学宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室西安710071 西安电子科技大学集成电路学部西安710071 

基　　金：国家自然科学基金(62204186) 陕西省三秦英才引进计划青年项目 国家级抗辐照应用技术创新中心(KFZC2022020401) 中央高校基本科研业务费专项资金(ZYTS23027) 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2025年第54卷第3期

页      码：361-370页

摘      要：氧化镓(Ga_(2)O_(3))材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度,在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电,但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N、Zn、Cu、Ni、Co等,其中,Mg掺杂由于形成能最低、能级位置最靠近价带顶,以及掺入方法多而被大量研究。本文聚焦Mg掺杂,首先对Mg掺杂氧化镓的受主能级的理论计算认识和实验测试结果进行综述;接着总结了Mg掺杂氧化镓半绝缘单晶和外延层的各种掺杂方法、掺杂浓度,以及在热处理中Mg扩散等关键问题;最后指出关于Mg掺入、激活及扩散机制还值得进一步研究,并对其未来进行了展望。

主 题 词：氧化镓 Mg掺杂 半绝缘衬底 电流阻挡层 电学性能 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2024.0295

馆 藏 号：203158305...